感應(yīng)加熱來(lái)源于法拉第發(fā)現(xiàn)的電磁感應(yīng)現(xiàn)象, 也便是交變的電流會(huì)在導(dǎo)體中產(chǎn)生感應(yīng)電流, 然后導(dǎo)致導(dǎo)體發(fā)熱。1890 年瑞典技能人員發(fā)明晰第一臺(tái)感應(yīng)熔煉爐——開(kāi)槽式有芯爐, 1916 年美國(guó)人發(fā)明晰閉槽有芯爐,從此感應(yīng)加熱技能逐漸進(jìn)入實(shí)用化階段。20 世紀(jì)電力電子器件和技能的飛速開(kāi)展, 極大地促進(jìn)了感應(yīng)加熱技能的開(kāi)展。
1957 年, 美國(guó)研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管, 標(biāo)志著現(xiàn)代電力電子技能的開(kāi)端, 也引發(fā)了感應(yīng)加熱技能的革新。19 66 年, 瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應(yīng)加熱設(shè)備, 從此感應(yīng)加熱技能開(kāi)端飛速開(kāi)展。
20 世紀(jì)80 年代后, 電力電子器件再次快速開(kāi)展,GTO、MOSFET、IGBT、MCT 及SIT 等器件相繼呈現(xiàn)。感應(yīng)加熱設(shè)備也逐漸摒棄晶閘管, 開(kāi)端選用這些新器件。現(xiàn)在比較常用的是IGBT 和MOSFET, IGBT 用于較大功率場(chǎng)合, 而MOSFET 用于較高頻率場(chǎng)合。據(jù)報(bào)道, 國(guó)外可以選用IGBT 將感應(yīng)加熱設(shè)備做到功率超越1000kW,頻率超越50kHz。而MOSFET 較適用高頻場(chǎng)合, 一般應(yīng)用在幾千瓦的中小功率場(chǎng)合, 頻率可達(dá)到500kHz 以上,甚至幾兆赫茲。但是國(guó)外也有推出選用MOSFET 的大功率的感應(yīng)加熱設(shè)備, 比方美國(guó)研制的2000kW/400kHz 的設(shè)備。
我國(guó)感應(yīng)熱處理技能的真實(shí)應(yīng)用始于1956 年, 早年蘇聯(lián)引入, 首要應(yīng)用在轎車工業(yè)。跟著20 世紀(jì)電源設(shè)備的制造, 感應(yīng)淬火工藝配備也緊隨其后得到開(kāi)展�，F(xiàn)在國(guó)內(nèi)感應(yīng)淬火工藝配備制造業(yè)也日益擴(kuò)大, 產(chǎn)品品種多,本來(lái)需要進(jìn)口的配備, 逐漸被國(guó)產(chǎn)品所取代, 在為國(guó)家節(jié)約外匯的同時(shí), 開(kāi)展了國(guó)內(nèi)的相關(guān)企業(yè)。目前感應(yīng)加熱制造業(yè)的服務(wù)目標(biāo)首要是轎車制造業(yè), 今后現(xiàn)代冶金工業(yè)將對(duì)感應(yīng)加熱有較大需求。 |
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